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计算机领域NVDIMM内存的使用及分类

    发布时间:2021-05-08    阅览次数:2373 次  
NVDIMM-N HMN82GR7AFR4N-UH

随着存储技术的发展, 对存储性能的不懈追求, 高性能存储开始探索向内存通道的迁移。 在这样的情况下, NVDIMM 技术便应运而生了。

NVDIMM (Non-Volatile Dual In-line Memory Module) 是一种可以随机访问的, 非易失性内存。非易失性内存指的是即使在不通电的情况下, 数据也不会消失。因此可以在掉电 (unexpected power loss), 系统崩溃和正常关机的情况下, 依然保持数据。 NVDIMM 同时表明它使用的是 DIMM 封装, 与标准DIMM 插槽兼容, 并且通过标准的 DDR总线进行通信。考虑到它的非易失性, 并且兼容传统, 又被称作Peistent Memory。

01

种类

目前, 根据 JEDEC 标准化组织的定义, 有三种NVDIMM 的实现。分别是:

NVDIMM-N

指在一个模块上同时放入传统 DRAM 和 flash 闪存。 计算机可以直接访问传统 DRAM。 支持按字节寻址, 也支持块寻址。通过使用一个小的后备电源,为在掉电时, 数据从DRAM 拷贝到闪存中提供足够的电能。当电力恢复时, 再重新加载到DRAM 中。


图1 NVDIMM-N示意图

NVDIMM-N 的主要工作方式其实和传统 DRAM是一样的。因此它的延迟也在10的1次方纳秒级。 而且它的容量, 受限于体积, 相比传统的 DRAM 也不会有什么提升。

同时它的工作方式决定了它的 flash 部分是不可寻址的。而且同时使用两种介质的作法使成本急剧增加。 但是, NVDIMM-N 为业界提供了持久性内存的新概念。目前市面上已经有很多基于NVIMM-N的产品。

NVDIMM-F

指使用了 DRAM 的DDR3或者 DDR4 总线的flash闪存。我们知道由 NAND flash 作为介质的 SSD, 一般使用SATA, SAS 或者PCIe 总线。使用 DDR 总线可以提高最大带宽, 一定程度上减少协议带来的延迟和开销。 不过只支持块寻址。

NVDIMM-F 的主要工作方式本质上和SSD是一样的。因此它的延迟在 10的1次方微秒级。它的容量也可以轻松达到 TB 以上。

NVDIMM-P

这是一个目前还没有发布的标准 (Under Development)。预计将与DDR5 标准一同发布。按照计划,DDR5将比DDR4提供双倍的带宽,并提高信道效率。这些改进,以及服务器和客户端平台的用户友好界面,将在各种应用程序中支持高性能和改进的。

NVDIMM-P 实际上是真正 DRAM 和 flash 的混合。它既支持块寻址, 也支持类似传统 DRAM 的按字节寻址。 它既可以在容量上达到类似 NAND flash 的TB以上, 又能把延迟保持在10的2次方纳秒级。

通过将数据介质直接连接至内存总线,  可以直接访问数据, 无需任何驱动程序或 PCIe 开销。而且由于内存访问是通过64 字节的 cache line, CPU 只需要访问它需要的数据, 而不是像普通块设备那样每次要按块访问。

 公司在2018年5月发布了基于3D XPoint™ 技术的Intel® Optane™ DC Persistent Memory。可以认为是NVDIMM-P 的一种实现。


图2 Intel® Optane™ DC Persistent Memory

02

硬件支持

应用程序可以直接访问NVDIMM-P, 就像对于传统 DRAM那样。这也消除了在传统块设备和内存之间页交换的需要。但是, 向持久性内存里写数据是和向普通DRAM里写数据共享计算机资源的。包括处理器缓冲区, L1/L2缓存等。

需要注意的是, 要使数据持久, 一定要保证数据写入了持久性内存设备, 或者写入了带有掉电保护的buffer。软件如果要充分利用持久性内存的特性, 指令集架构上至少需要以下支持:

写的原子性

表示对于持久性内存里任意大小的写都要保证是原子性的, 以防系统崩溃或者突然掉电。IA-32 和 IA-64 处理器保证了对缓存数据最大64位的数据访问 (对齐或者非对齐) 的写原子性。 因此, 软件可以安全地在持久性内存上更新数据。这样也带来了性能上的提升, 因为消除了copy-on-wri 或者 write-ahead-logging 这种保证写原子性的开销。

高效的缓存刷新(flushing)

出于性能的考虑, 持久性内存的数据也要先放入处理器的缓存(cache)才能被访问。经过优化的缓存刷新指令减少了由于刷新 (CLFLUSH) 造成的性能影响。

a. CLFLUSHOPT 提供了更加高效的缓存刷新指令

b. CLWB (Cache Line Write Back) 指令把cache line上改变的数据写回内存 (类似CLFLUSHOPT), 但是无需让这条 cache line 转变成无效状态(invalid, MESI protocol), 而是转换成未改变的独占状态(Exclusive)。CLWB 指令实际上是在试图减少由于某条cache line刷新所造成的下次访问必然的cache ss。

提交至持久性内存

(Commitng to Persistence)

在现代计算机架构下, 缓存刷新的完成表明修改的数据已经被回写至内存子系统的写缓冲区。 但是此时数据并不具有持久性。为了确保数据写入持久性内存, 软件需要刷新易失性的写缓冲区或者在内存子系统的其他缓存。 新的用于持久性写的提交指令 PCOMMIT 可以把内存子系统写队列中的数据提交至持久性内存。

非暂时store操作的优化

(Non-temporal Store Optimization)

当软件需要拷贝大量数据从普通内存到持久性内存中时(或在持久性内存之间拷贝), 可以使用弱顺序, 非暂时的store操作 (比如使用MOVNTI 指令)。 因为Non-temporal store指令可以隐式地使要回写的那条cache line 失效, 软件就不需要明确地flush cache line了(see Section 10.4.6.2. of Intel® 64 and IA-32 Architectures Software Developer’s Manual, Volume 1)。

目前镁光和Skhynix推出的两款16G NVDIMM内存分别型号是MTA18ASF2G72XF1Z-2G6V 16G 1RX4 NN4-2666V-RZZZ和海力士推出的NVDIMM-N  HMN82GR7AFR4N-UH 16G 1RXR NN4-2400T-RZZZ内存,在行业内已经广泛使用

03

总结

本期我们介绍了NVDIMM 的几种实现方式, 以及为了发挥NVDIMM-P 的性能所做的硬件上的优化和支持。后面我们会继续介绍软件方面的支持, 包括编程模型, 编程库, SPDK方面的支持等。敬请期待。



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